薄鎳鈀金製程之探討與研究
ENEPIG Process of Thin Ni
作者: 資深研究員 袁宇呈
前言:
電子產品的趨勢是往越輕、薄、短、小方面發展，並且期望能同時包含更多功能且更快速的運作效率。為了達到以上要求，電子封裝工業便發展出多樣化及先進的封裝技術及方法，使之能在同一基板上增加積體電路(IC)的數量及種類。
為了達到線路密集化之需求，應用晶片尺寸封裝技術(CSP)、多晶片組件(MCM)及系統級封裝技術(SiP)便相繼發展出來，以因應人們對於科技發展之需求。
然而隨著單位上積體電路的增加，大量的I/O需求及訊號傳送質量已成為目前之趨勢，且對高頻化的要求亦日益增加。以鑒於此，焊接所需要的表面處理技術亦需要大幅度提升。高頻化的增加，對於產品所需要承受的電子遷移(electron migration)能力也需要提升，而化學鎳鈀金(ENEPIG)由於具備了良好的接著能力，且其鎳層在其中可有效地阻止銅原子的擴散，並且化學鎳鈀金在給予能量後所形成之介金屬化合物(IMC)相當平整，可有效障蔽整體原子之遷移能力。故在高階產品如Flip chip或wafer端UBM，使用化學鎳鈀金作為其表面處理的比例也在持續性成長。
ENEPIG介紹
化學鎳鈀金有別於一般之表面處理製程，其差異整理如表：
本文章刊登于 TPCA 協會電路板 電路板會刊 第 53 期
如有相關需求可依以下方式聯絡並提供相關資訊
台灣上村和全體員工致力於提供創新技術和新產品解決方案。
如果您有任何特殊製程和新製造技術的需求，請與我們連絡。
Email： 